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SSD Samsung 990 Evo Plus 4TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC – MZ-V9S4T0BW

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18 disponibili


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642,68 €

18 disponibili

Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M.2 NVMe

Modello: MZ-V9S4T0BW

Descrizione prodotto

Il Samsung 990 EVO Plus 4TB è un SSD interno M.2 2280 progettato per offrire un’elevata capacità di archiviazione combinata con prestazioni rapide e un’efficienza energetica ottimizzata. Grazie al supporto delle interfacce PCIe 4.0 x4 e PCIe 5.0 x2 con NVMe 2.0, può essere installato su piattaforme compatibili di generazione attuale e precedente.

La memoria Samsung V-NAND TLC e il controller proprietario permettono di raggiungere fino a 7.250 MB/s in lettura sequenziale e 6.300 MB/s in scrittura sequenziale. Le prestazioni casuali arrivano fino a 1.050.000 IOPS in lettura e 1.400.000 IOPS in scrittura, offrendo tempi di risposta rapidi durante trasferimenti di file, applicazioni, gaming e gestione di contenuti digitali.

Il modello da 4 TB sfrutta inoltre la tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0, con un’area TurboWrite ampliata pensata per migliorare le prestazioni nella gestione di grandi quantità di dati. La memoria cache utilizza la tecnologia HMB (Host Memory Buffer), mentre il controller con rivestimento in nichel contribuisce all’efficienza energetica e alla gestione termica dell’unità.

Per la protezione dei dati sono disponibili crittografia AES 256-bit, TCG/Opal e IEEE1667, oltre a TRIM, S.M.A.R.T. e garbage collection automatica. Il software Samsung Magician consente di monitorare lo stato dell’SSD, ottimizzarne le prestazioni e gestire gli aggiornamenti firmware. Il drive misura 80,15 × 22,15 × 2,38 mm, pesa massimo 9 grammi e offre una garanzia limitata di 5 anni o 600 TBW.

Specifiche tecniche

  • Capacità: 4 TB
  • Formato: M.2 2280
  • Interfaccia: PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2, NVMe 2.0
  • Memoria: Samsung V-NAND TLC
  • Controller: Samsung proprietario
  • Cache: HMB (Host Memory Buffer)
  • Lettura sequenziale: fino a 7.250 MB/s
  • Scrittura sequenziale: fino a 6.300 MB/s
  • Lettura casuale: fino a 1.050.000 IOPS
  • Scrittura casuale: fino a 1.400.000 IOPS
  • Crittografia: AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
  • Dimensioni: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
  • Peso: max 9 g
  • MTBF: 1,5 milioni di ore
  • Garanzia: 5 anni o 600 TBW
  • Software: Samsung Magician

Link sito ufficiale: https://www.samsung.com/it/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-plus-4tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9s4t0bw
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COD: MZ-V9S4T0BW Categorie: , Tag: , , , Marchio:
Peso1 kg
Tipo di prodottoSSD interno
Funzioni
Velocità di trasferimento (lettura)7.250 MB/s
Velocità di trasferimento (scrittura)6.300 MB/s
MTBF1.500.000 ore
Byte totali scritti (TBW)2.400
4K Random Read IOPS1.050.000
4K Random Write IOPS1.400.000
Proprietà
Capacità4.000 GB
Tipo di costruzioneinterna
Tipo di memoria3D TLC
ProtocolloNVMe
CaratteristicheSupporto TRIM, Garbage Collection, SMART, DEVSLP
Consumo energetico in ricerca5,5 Watt
CrittografiaAES 256-Bit
Processo produttivo5 mm
Condizioni ambientali
Resistente allo shock fino a1.500 G
Temperatura di esercizio0 – 70 °C
Dimensioni e peso
Fattore di formaM.2
Altezza2,38 mm
Peso9 g
Larghezza22 mm
Lunghezza80 mm
Altre caratteristiche
Costo medio elettricità annuo1.57 Euro
Fonte*Ø Costo dell’energia elettrica secondo Eurostat (1° semestre 2020)

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